Name: ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 3.5332 EUR
Availability: InStock

N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8 FL

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Productnummer DigiKey	448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-ISZ113N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Beschrijving	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	61 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Opbouwmontage PG-TSDSON-8 FL
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	ISZ113N10NM5LF2ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 11,3mOhm @ 20A, 10V
Fabr. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 3,9V @ 36µA
Serie OptiMOS™ 5	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 29 nC @ 10 V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Status onderdeel Actief	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 2300 pF @ 50 V
FET-type N-kanaal	Vermogensdissipatie (max.) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Type montage Opbouwmontage
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 10 A (Ta), 63 A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-TSDSON-8 FL
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Verpakking / doos 8-PowerTDFN