SIHP17N60D-E3 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Op voorraad: 16.512
Eenheidsprijs : € 3,58000
Gegevensblad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Op voorraad: 995
Eenheidsprijs : € 3,06000
Gegevensblad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Op voorraad: 67
Eenheidsprijs : € 3,72000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 1.602
Eenheidsprijs : € 3,55000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 2.052
Eenheidsprijs : € 3,75000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 2.299
Eenheidsprijs : € 3,28000
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 907
Eenheidsprijs : € 3,96000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 990
Eenheidsprijs : € 2,92000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 1.468
Eenheidsprijs : € 1,90000
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 219
Eenheidsprijs : € 5,79000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 2.214
Eenheidsprijs : € 3,09000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 9
Eenheidsprijs : € 3,88000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 594
Eenheidsprijs : € 2,12000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.322
Eenheidsprijs : € 4,58000
Gegevensblad
N-kanaal 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Through-hole TO-220AB
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIHP17N60D-E3

Productnummer DigiKey
SIHP17N60D-E3-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
SIHP17N60D-E3
Beschrijving
MOSFET N-CH 600V 17A TO220AB
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 600 V 17 A (Tc) 277,8W (Tc) Through-hole TO-220AB
Gegevensblad
 Gegevensblad
EDA/CAD-modellen
SIHP17N60D-E3 Modellen
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
600 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
340mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1780 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
277,8W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220AB
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.