AOT11S65L is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Direct


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,69273
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 2.299
Eenheidsprijs : € 3,28000
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 990
Eenheidsprijs : € 2,92000
Gegevensblad

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 30.333
Eenheidsprijs : € 1,43635
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 219
Eenheidsprijs : € 5,79000
Gegevensblad

Similar


Vishay Siliconix
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,63000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,28000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 970
Eenheidsprijs : € 6,25000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 1,03358
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : € 2,28000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.322
Eenheidsprijs : € 4,58000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 817
Eenheidsprijs : € 2,86000
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 596
Eenheidsprijs : € 2,95000
Gegevensblad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 34
Eenheidsprijs : € 4,33000
Gegevensblad
N-kanaal 650 V 11 A (Tc) 198W (Tc) Through-hole TO-220
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

AOT11S65L

Productnummer DigiKey
785-1510-5-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
AOT11S65L
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 11 A (Tc) 198W (Tc) Through-hole TO-220
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
399mOhm @ 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
646 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
198W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.